Detaillierte technische Parameter Wert Geh?use TO-220AB Diskrete Leiter Polarit?t N VBRDSS (V) 75 RDS (on) 10V (mOhm) 13,0 ID @ 25 ° C (A) 82 ID @ 100C (A) 58 Qg Typ 106.7 Qgd Typ 36,7 Rth (JC ) 0,75 Verlustleistung (W) 200 PbF - FETD PbFOption Erh?ltlich echtes Original, importiert neue, bleifrei, langfristige Liefervertr?ge. Produkt-Beschreibung Marke / Warenzeichen ADV amerikanischen modernen Halbleiter Modell / Spezifikationen IRF2807PBF Art von isoliertem Gate (MOSFET) Kanalleitungstyps N-Kanal-Anreicherungs verwendet eine / breitbandigen Verst?rkung Paket Umriss CER-DIP / Keramik DIP Material AlGaAs Aluminium-Galliumarsenid Schaltspannung 10 (V) Pinch-off-Spannung von 20 (V) Steilheit 30 (uS) Elektrodenkapazit?t 10 (pF) Niederfrequenz-Rauschzahl 20 (dB) maximale Drain-Strom 30 (mA) maximale Verlustleistung 100 (mW)